Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)
- Volume 1 Issue 3
- /
- Pages.353-359
- /
- 1992
- /
- 1225-8822(pISSN)
Growth of CdS Single Crystal Thin Films by HWE Method
HWE법에 의한 CdS 단결정 박막의 성장
Abstract
본 연구에서는 HWE 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 입방정의 단결정 박막을 성장하였다. 성장된 CdS 단결정 박막의 결정구조와 방향을 ECP(electron channeling pattern)로 결정하였다. CdS 박막의 (400)면이 기판과 평행하게 성장됨을 알았다. CdS 박 막의 photoluminescence를 20K에서 측정하였는데, free exception, bound exception 및 donor-acceptor pair에 의한 발광이 관측되었다.
Keywords