Study on the Ultra-Wideband Microwave Amplifier Design for MMIC

MMIC용 초광대역 마이크로파 증폭기설계에 관한 연구

To design of Ultra-wideband amplifier, we analyzed the inductor peaking to reduce the capacitance effect of GaAs MESFET in upper frequency edge. And we deduced an optimun inductor peaking element from transfer function of GaAs MESFET small-signal equivalent circut and realized the Feedback Amplifier Module (FAM) having flat gain. We design the imput and output impe dance matching networks by Real-Frequency Method. It show that the gain of designed amplifier has a 6.38dB with gain variation 0.56 at 0.1~12 GHz frequency gand by computer simu-lation.

본 연구에서는 초광대역증폭기를 설계하고자 GaAs MESFET 소신호 동가회로에 인덕터 피킹소자를 첨가하여 캐패시턴스의 영향을 감소시키는 주파수 피킹현상에 대하여 분석하였다. GaAs MESFET의 소신호 둥가회로의 전달함수로 부터 인턱터 피킹소자의 최적값을 유도하였으며, 매 우 균일이득을 갖는 귀환증폭모듈을 실현하였다. 실 주파수법에 의하여 입력과 출력단의 엄피던스정합회로를 설계하여 초광대역 마이크로파증폭기를 구현하였으며 컴퓨터 시률레이션에 의하여 셜계된 증폭기의 이득의 오차는 O.lGHz-12GHz에서 O.56dB의 매우 균일한 이득을 얻을 수 있었다.