ZnS:Sm,F 형광체 박막 EL 소자의 발광효율

Luminous efficiency of ZnS:Sm,F TFEL devices

이중절연층구조 ZnS:Sm,F 박막 EL 소자를 전자선 가열 증착법으로 제작하여 제작한 소자들의 발광특성과 발광효율을 조사하였다. ZnS:Sm,F 박막 EL소자의 발광 스펙트럼은 Sm/sup 3+/ 이온의 /sup 4/G/sub 5/2/ .rarw. /sup 6/H/sub 9/2//sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 7/2/, /sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 5/2/.rarw.전이에 의한 발광이다. 이들 중 650nm를 발광하는 /sup 4/G/sub 5/2/.rarw./sup 6/H/sub 9/2/전이가 가장 우세하며 주홍색 발광을 한다. ZnS:Sm, F 박막 EL 소자의 최적 농도와 기판온도는 1wt%, 200.deg.C이며 최적조건으로 제작한 소자의 발광효율이 가장 크다.

ZnS:Sm, F TFEL devices with double insulating layer are prepared by e-beam evaporation method. Electroluminescence and luminous efficiency of the device fabricated at various conditions are investigated. The main transitions on the emission spectra for ZnS:Sm, F TFEL device occur at$^4G_{5/2}\to^6H_{9/2}^4G_{5/2}\to^6H_{7/2}, \;^4G_{5/2}\to^6H_{5/2}\to$.Among them, the dominant spectral line and its corresponding transition occur at $^4G_{5/2}\to^6H_{9/2}$(650 nm) and results in an orange-red emission color. The optimum concentration and substrate temperature for the ZnS:Sm, F TFEL device are around 1 wt% and $200^{\circ}C$. Luminous efficiency for the device is the largest at optimum condition.