Crystal Growth of Alexandrite

Alexandrite 단결정 육성에 관한 연구

Alexandrite crystals were grown by the Czochralski method. Relationships between or ystal quality and crystal growth factors such as pulling rate, rotation rate, purity of BeO po wders and evaporation loss compensation of BeO and Cr3+/Al3+substitution ratio were investigated. As a result, 1) high purity (more than 99.99p,) of BeO, as a raw material, is requisite condition for single crystal growth, 2) evaporation loss comp ensation is also requisite for high quality crystal growth. This compensation depends on pulling rate and Cr3+/Al3+ ratio. And 3) optimum pulling and rotation rate for alexandrite growth were 0.5∼1.0mm/hr and 20∼25rpm, respectively. Ale xandrite crystals were grown to (001) direction. Various types of defects were detected by the polarizing microscope and we discussed how to remove these defects. And room tempo rature absorption and fluorescence spectra were measured.

Czochralski법에 의해 alexandrite단길정을 육성 하였다. 결함과 인상속도, 회전속도, Beo의 순도 및 BeO와 Cr3+/Al3+ 치환비의 증발 손실보상 등 결정육성 요소의 관계를 규명하였다. 결과로서 1) 결정육성 원료로서 BeO의 순도는 99.99f) 이상의 고순도이어야 하고, 2) 증발손실 보상은 고품위의 결정을 육성하 기 위한 필수조건으로서 인상속도와 Cr3+/Al3+ 치환 비에 의존되며, 3) 적당한 인상 및 회전속도는 0. 5 ∼1.0mm/hr과 20∼25rpm으로 나타났다. 육성된 결정 은 (001) 방향으로 성장되었으며, 편광현미경으로 여러가지 형태의 결함을 관찰하였고 그 제거 방법을 논의 하였다. 또한 실온에서 흡수 및 형광방출 스펙트럼을 측정·비교하였다.