Stearic Acid와 PDA LB막의 적층조건과 특성분석

본 기초연구에서는 Langmuir-Blodgett technique의 기술현황을 정리하고 기본적인 증착조건에 관한 실험 및 증착된 막의 분석을 행하였다. Langmuir-Blodgett technique은 유기물을 nm정도까지 얇고 균일하게 입힐 수 있는 장점이 있기 때문에 tunneling barrier로서 전자소자에 응용 가능성이 높고, 분자의 배열을 조절할 수 있는 능력을 이용하여 2차 비선형계수를 이용한 광학소자에 높은 잠재력을 지니고 있다. 이 성질을 이용하기 위하여 Ba stearate 와 pentacosa diynoic acid막을 이용하여 기본적인 실험을 하고 그 막을 XRD와 ellipsometer 그리고 Nomarsky 현미경 등을 이용하여 분석하였다. 그 결과 LB막은 subphase의 pH와 온도의 영향을 받음을 알 수 있었으며, 위의 분석방법을 이용하여 양질의 막을 얻을 수 있는 조건을 제시하였다.