Abstract
In this study, the (P)SiC/(N)Si solar cell is fabricated by the vacuum evaporation method with the substrate temperature at about $200{\pm}5[5^{\circ}C]$ and its characteristics are investigated. The optimal thickness of $1.2[{\mu}m]$ of SiC film is derived from the relation between film thickness and conversion efficiency. The characteristics of solar cells are improved by the annealing. The optimum annealing temperature and duration are $420[^{\circ}C]$ and 12[min], respectively it is shown that the peak values of spectral response are shifted to the long wavelength region with increasing the annealing temperature. The X-ray diffraction patterns and the scanning electron micrographs show the grain grow thin SiC film as the annealing temperature and time is increased. The best conversion efficiency is 11.7[%] for a $2.5{\times}1[cm^2]$ cell.
본 연구에서는 기판의 증착온도를 $200{\pm}5[5^{\circ}C]$로 유지하여 진공증착법으로 (P)SiC/(N)Si 태양전지를 제작하고 그의 특성을 조사하였다. SiC 박막의 최적 두께 $1.2[{\mu}m]$는 박막두께와 변환효율과의 관계로부터 정해졌고 태양전지의 특성은 열치리에 의하여 개선되었다. 최적조건의 열처리 온도와 시간은 $420[^{\circ}C]$에서 12분이고 분광응답의 피크값은 열처리 온도의 증가와 더블어 장파장 쪽으로 이동함을 알았다. X선 회절분석 및 SEM검사는 열처리 온도와 시간에 따라 SiC 박막내에서 결정성장을 보여주며 $2.5{\times}1[cm^2]$의 태양전지에서 최고 변환효율은 11.7[%]이다.