Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effects of Phosphorus Doping Concentration on the Oxidation Kinetics of Tungsten Polycide I

텅스텐 폴리사이드의 산화반응속도에 미치는 인 도핑 농도의 영향 I

  • 이종무 (인하대학교 금속공학과) ;
  • 윤국한 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 임호빈 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 이종길 (삼성전자㈜기흥연구소)
  • Published : 1991.03.01
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Abstract

W/Si의 조성비가 2.6인 CVD텅스텐 실리사이드를 어닐링처리후 dry 또는 wet oxidation하여 폴리사이드 구조에서 다결정 Si내의 농도가 실리사이드의 산화반응속도에 미치는 영향을 조사하였다. 인의 농도에 관계없이 항상 실리사이드의 산화속도가 (100)Si의 그것보다 더 높았다. 저온에서 dry oxidation한 경우 인의 농도가 증가함에 따라 산화속도는 감소하였으나 고온에서 dry oxidation한 경우에는 P농도와 산화속도간에 상관관계가 별로 없었다. 한편, wet oxidation의 경우에는 모든 산화온도에서 인의 농도가 높을수록 실리사인의 산화속도가 더 낮은 것으로 나타났다.

Keywords