Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology (한국결정성장학회지)

The Korea Association of Crystal Growth (한국결정성장학회)
권호 표지

Growth of ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ Single Crystals by EFG Method

EFG법에 의한 ${\gamma}-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$

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  • Kei-Miyamoto (Osaka Research Institute for Industrial Technique, Osaka, 550, Japan)
  • 김호건 (한양대학교 화학과, 서울, 133-791) ;
  • 유건종 (한양대학교 화학과, 서울, 133-791) ;
  • Published : 1991.04.01
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Abstract

The fundamental conditions for growing $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$ (BGO) single crystal plates by EFG (Edge -defined Film-fed Growth) method, were investigated and the characterization, quality test were carried out for obtained BGO single crystal plates. The optimum growing conditions determined in this study were as follows: ${\cdot}$ temperature gradient: 22^{\circ}C/cm

광기능소자로 응용성이 넓은 전기광학결정 $r-6Bi_2O_3{\cdot}GeO_2$(이하 BGO로 약칭)을 EFG(Edge-defined Film-fed Growth)법에 의하여 판상단결정으로 육성하는 기초적 조건을 조사하였고 얻어진 판상단결정의 characterization 및 평가를 행하였다. 본 연구에서 얻어진 최적성장조건은 온도구배가 $22^{\circ}C$/cm 이었고 인상속도는 2.0mm/h이었다. 결정성장 최적조건에서 육성된 BGO결정은 제 2상의 석출이 없고 grain boundary가 존재하지 않으며 X선분석으로도 단결정임이 확인되었다. 육성된 판상단결정의 판면은 (100)면이었고 결정성장 방위는 <110>이었다. 육성된 판상단결정은 편광현미경하에서는 pore, void, inclusion, striation등의 성장결함이 없는 양질의 단결정이었으나 미세결함인 전위(dislocation)의 존재가 확인되었고 전위밀도는 $7.0{\times}105/cm^2$이었다.

Keywords