한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)
- 제1권1호
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- Pages.117-126
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- 1991
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- 1225-1429(pISSN)
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- 2234-5078(eISSN)
실리콘 단결정 성장 기술개발 동향
Technical Trend of Silicon Single Crystal Growth
초록
실리콘 단결정은 반도체 소자 제조에 널리 쓰이는 중요한 재료로서 이 결정 성장 기술은 결정의 고품질화, 대구경화를 이룩하기 위하여 꾸준히 발전되어 왔다. 본 보는 생산성의 경제적인 효율 측면에서 각종 결정 인상 기술이 장, 단점을 간략히 소개하고, 이 기술 및 공정의 장래에 대하여 기술하였다.
Silicon single crystal is the most frequently used materials for the semiconductor device fabrication, The crystal growth techniques have been steadily improving for achieving a greater degree of crystal perfection and large ingot size. This report present the advantages, disadvantages and technical problems of the various crystal pulling technique briefly on the economic impact of productivity. Also, future directions of the pulling technique and process including the economical and quantitative aspects are deal with.
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