2차 Seed Grain을 사용한 ZnO 바리스터의 제조

Fabrication of ZnO Varistor Using Secondary Seed Grains

1차와 2차 Seed grain을 제조하였다. 보다 큰 grain size를 갖는 1차 seed의 제조 조건은 2.0mol.%의 $BaCO_3$ 첨가와 10시간의 소경이었다. 가장 큰 2차 seed를 얻을 수 있는 1차 seed의 첨가량이 3wt.%로 나타나서, 전통적 방식으로 제조된 바 있는 저전압용 바리스터계에 이를 첨가하여 저전압 ZnO 바리스터를 제조하였다. 이와 같은 조건하에서 제조된 바리스터는 대개 10V/mm의 항복전압과 15~22의 비선형지수를 나타냈다.

We fabricated primary and secondary seed grains. Primary seed grains having larger grain size were obtained under the conditions that were 2.0mol.% $BaCO_3$ and 10 hours sintering. The amount of primary seed grain that yield the largest secondary seed grain was chosen as 3wt.% and we fabricated the low voltage varistors which were jointed the low voltage-oriented ZnO varistor system made by conventional method with the secondary seed grains. As a result, the ZnO varistors under those conditions showed approximately 10V/mm of nonlinear resistance and 15-22 of nonlinear exponent.