Monte Carlo 모의실험에 의한 AlInAs/GaInAs 변조 도핑 구조에서의 Hot-Electron Transport에 관한 연구

Monte Carlo Study of Hot-Electron Transport in AlInAs/GaInAs Modulation-Doped Structure

$\Gamma$계곡의 nonparabolicity를 고려하여 $Al_{0.48}\In_{0.52}As/Ga_{0.47}In_{0.53}As$ 변조 도핑 구조에서의 hot-electron 전송을 Monte Carlo 방법으로 연구하였다. 계산결과로부터 nonparabolicity는 2차원 전자의 속도를 크게 감소시킴을 알 수 있었다.

Monte Carlo simulation of hot-electron transport in $Al_{0.48}In_{0.52}As/Ga_{0.47}In_{0.53}$ As modulation-doped structure has been performed in which the nonparabolicity in $\Gamma$ valley is taken into account. The calculated results show that the inclusion of the nonparabolicty effect results in a huge decrease in drift velocity.