대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제27권2호
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- Pages.73-80
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- 1990
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- 1016-135X(pISSN)
Poly-Si에 첨가한 도펀트가 Titanium Silicides 형성에 미치는 영향 Ⅱ
Effects of Dopants Introduced into the Poly-Si on the Formation of Ti-Silicides
- Ryu, Yeon-Soo (Dept. of Materials Eng., Hanyang Univ.) ;
- Choi, Jin-Seog (Dept. of Materials Eng., Hanyang Univ.) ;
- Paek, Su-Hyon (Dept. of Materials Eng., Hanyang Univ.)
- 발행 : 1990.02.01
초록
Si의 기판상태, 불순물의 종류와 양, 어닐링온도 등을 달리하여 Ti-silicides를 형성시켰을 때 면 저항과 두께측정, 불순물들의 분포와 미세구조 관찰을 통하여 Ti-silicides 형성반응을 조사하였다. 기판상태, 불순물의 농도, 어닐링온도가 Ti-silicides 형성에 직접적으로 영향을 미쳤다. Amorphous Si 기판상에서 Ti-silicides가 형성되었을 때
The formation of Ti-silicides with the type of substrate, the species and the concentration of dopant, and the annealing temperature was investigated with sheet resistance and thickness measurement, elemental depth profilling, and microstructure. It was directly affected by the type of substrate, the species and the concentration of dopant, and the annealing temperature. For the amorphous Si substrate, the smothness of
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