E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제3권3호
- /
- Pages.195-204
- /
- 1990
- /
- 2982-6268(pISSN)
- /
- 2982-6306(eISSN)
MOS의 DLTS 신호특성과 계면트랩에 관한 연구
A study on the DLTS spectrum and interface trap in MOS
초록
본 논문에서는 컴퓨터를 근본으로 한 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) 장치를 구성하고 이를 이용하여 P형 Si MOS 캐패시터의 Si-
키워드