ETRI Journal

  • 제11권3호
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  • Pages.43-64
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  • 1989
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  • 1225-6463(pISSN)
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  • 2233-7326(eISSN)
한국전자통신연구원 (Electronics and Telecommunications Research Institute)
권호 표지

$BF_2^+$이온주입된 (100) 실리콘의 격자손상이 불순물 농도분포에 미치는 영향

  • 발행 : 1989.10.01
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초록

VLSI소자의 얕은 접합을 형성하기 위한 $BF_2^+$이온주입 공정시에 발생하는 결정격자의 손상및 결함의 발생과 열적 거동, 그리고 블순물의재분포 등에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. BF2' 이은주입에 의해서 형성된 실리큰 기판의비정질층 및 열처리 후에 발생한 전위환 등의결정결함을 TEM과 RBS로서 분석하였으며, 이들이 불순물의 재분포에 미치는 영향을 SIMS로서 분석, 화인하였다. RTA 열처리시, 온도변화에 따라서 boron 및 fluorine의 농도분포는비정상적민 형태를 나타내었으며 그 이유는 결정결함의 형성 및 열적거동에 의한 것으로 설명되 었다.

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