Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Efficient Parameter Extraction for Low Noise MOSFET

저잡음 MOSFET를 위한 효과적인 파라미터 추출

  • 이상배 (韓國海洋大學校 電子通信工學科) ;
  • 차균현 (高麗大學校 電子電算工學科)
  • Published : 1989.03.01
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Abstract

We developed a general algorithm and program to determine nominal value of new optimum geometric parameters of MOSFET when yield satisfying specification of drain current and noise spectral density is maximum. In this paper, the total number of considered devices is 500, and each parameters of geometric parameter was generated randomly within the limits of ${pm}3%$ of nominal value, and the distribution of 500 geometric parameters is gaussian distribution.

드레인 전류와 잡음스펙트럼밀도의 성능규격(performance specification)을 만족하는 수율(yield)이 최대인 MOSFET의 새로운 최적한 기하학적 피라미터들의 각각의 값들은 공칭값의 ${pm}3%$ 의 범위 내에서 정규분포를 형성하도록 랜덤하게 발생시켰다.

Keywords