Unit-Rectangle Exposure Method for Advanced Through-put in Electron-Beam Direct Writing Lithography

전자선 직접묘사에서 Through-put이 향상된 단위 矩形묘사방법

This paper describes to the unit rectangle EB direct writing lithography method using SEM. This method has the constant exposure time to any rectangle pattern. In order to change the EB current according to various rectangle size for the constant exposure time, the supply current of condenser lens in controlled by BITMAP-IV CAD system. By this method, the resizing procedure of density pattern area is not needed to pattern data conversion, and the through-put ofr exposure is increased about 172 times compared with the unit scan exposure method.

본 논문은 패턴의 모양에 따라서 패턴 데이타 포멥변환시 분할되는 각종 矩形패턴을 크기에 구애됨이 없이 전자선 직접묘사 시간이 일정한 矩形단위로 전자선 직접묘사하는 방법을 제안하였다. 본 실험에서는 SEM을 사용하였으며 矩形의 크기에 따라 일정시간에 요구되는 전자선 전류를 변화시키기 위하여 집속렌즈의 공급전류를 BITMAP-IV CAD 시스템으로 제어하였다. 본방법에서는 패턴 데이타 포맵변환시 밀집된 패턴에 대한 resizing과정이 불필요하며 묘사시간에 근거한 through-put은 unit scan방식에 비하여 172배가 향상되었다.