E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)
- 제2권1호
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- Pages.33-40
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- 1989
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Pt-nSi쇼트키 접촉의 유효 장벽높이 감소에 관한 연구
A Study on the Effective Barrier Height Reduction of Pt-nSi Schottky Contact
초록
낮은 에너지(60KeV) 비소 이온주입으로 고종도의 얇은 표면층을 형성시켜 Pt-nSi 쇼트키 다이오드의 유효 장벽높이를 감소시켰다. 역방향 특성을 크게 저하시키지 않고 순방향 임계전압을 400mV에서 200mV로 낮추는데 필요한 이온주입량은 얇은 산화막(215.angs.)이 존재하는 상태에서 비소 이온주입을 한 경우는 9.0*
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