Langmuir-Blodgett막과 미래의 Electronics 소자

Langmuir-Blodgett Filias and Future Electronic Device

Langmuir-Boldgett(LB)법에 의해서 두께 1층당 약 4.angs.의 폴리이미드 LB막을 제작된 폴리이미드 LB막을 양전극사이에 sandwich시킨 Al/Al$_{2}$ $O_{3}$ /폴리이미드 LB막/Al(Au)구조의 소자를 이용하여 전기적 특성을 조사하였다. 전기저항이 대단히 큰 폴리이미드 LB막과 전기저항이 작은 $Al_{2}$ $O_{3}$막과의 상호작용에 의해 폴리이미드 LB막의 파괴전계는 약 1*$10^{8}$V/cm이었으며 터널전류는 이론값에 비하여 매우 작은 전류의 값을 나타내었다. 이와같은 현상은 전압의 대부분이 폴리이미드 LB막에 만이 인가되며 터널전류는 $Al_{2}$ $O_{3}$막에 의해 제한되기 때문이다.