Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)
- Volume 2 Issue 1
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- Pages.1-13
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- 1989
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- 2982-6268(pISSN)
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- 2982-6306(eISSN)
Langmuir-Blodgett Filias and Future Electronic Device
Langmuir-Blodgett막과 미래의 Electronics 소자
Abstract
Langmuir-Boldgett(LB)법에 의해서 두께 1층당 약 4.angs.의 폴리이미드 LB막을 제작된 폴리이미드 LB막을 양전극사이에 sandwich시킨 Al/Al
Keywords