한국통신학회논문지 (The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences)

  • 제13권3호
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  • Pages.216-220
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  • 1988
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  • 1226-4717(pISSN)
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  • 2287-3880(eISSN)
한국통신학회 (The Korean Institute of Commucations and Information Sciences)
권호 표지

X-band 증폭기의 결합방법에 따른 특성 비교

Performance of X-Band Amplifier with Coupling Method

  • 조광래 (동국대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 윤현보 (동국대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 진연강 (단국대학교 공과대학 전자공학과)
  • 발행 : 1988.06.01
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초록

GaAs MESFET을 사용한 12GHz저잡음 증폭기를 MIC로 설계하였다. 증폭기의 입출력 결합은 칩 캐패시터와 대칭구조의 DC블록을 포함시켜 각기 실현하였다. 실험을 통하여 칩 캐패시터를 사용하는 경우 11.8-12.1GHz에서 8-11dB의 이득을 얻었으며 DC 블록을 포함하는 경우 12.16-12.19GHz에서 16-18dB의 이득을 나타내는 비교 결과를 얻었다.

The design and performance of 12GHz low-noise amplifierwith GaAs MESFET and microstrip line are described. It contains DC blocks with symmetric line and chip capacitor, respectively. The low-noise amplifier with chip capacitor and DC block exhibits a 8-11 dB gain over 11.8-12.1 GHz and 16-18dB gain over 12.16-12.19GHz, respectively.

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