E2M - 전기 전자와 첨단 소재 (Electrical & Electronic Materials)

  • 제1권4호
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  • Pages.303-310
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  • 1988
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  • 2982-6268(pISSN)
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  • 2982-6306(eISSN)
한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

Langmuir-Blodgett(LB)법을 이용한 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 착체의 초박막 제작

Fabrication of Ultra thin Films with (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) Complex by Langmuir-Blodgett(LB) Technique

  • 손병청 (홍익대학교 화학공학과) ;
  • 정순욱 (홍익대학교 화학공학과) ;
  • 손태원 (홍익대학교 화학공학과) ;
  • 강훈 (홍익대학교 전기제어공학과) ;
  • 강도열 (홍익대학교 전기제어공학과)
  • 발행 : 1988.12.01
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초록

본 논문에서는 Langmuir-Blodgett법으로 유기초박막을 제작하기 위하여 시료인 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 작제를 합성하고 이를 초박막으로 제작한 다음, U.V측정, capacitance측정, 그리고 기판과 수직한 방향의 도전율등을 측정하여 막이 잘 이루어지고 있음을 확인하였다. 한편, 하부 전극을 Al로 할 경우 전극표면에 생기는 자연 산화막(Al$_{2}$O$_{3}$)의 두께는 37.1.angs.정도이었으며 기관과 수직한 방향의 도전율은 약 $10^{-14}$S/cm로 양호한 절연성이었다.

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