$n^+ -p$ 접합에서 위치함수인 유전율을 고려한 경우 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향

The Effect of Junction Depth on the Charge Density in $n^+ -p$ junction with Consideration of Position dependent Dielectric Constant

Gaussian $n^{+}$-p집합에 대해 위치함수인 유전율을 고려한 Poisson's equation의 일반적인 형태를 수치적으로 풀어 접합깊이가 전하밀도에 미치는 영향을 살펴 보았다. 또한 유전율의 변화에 기인한 전하 쌍극자의 해석적인 모델을 제시하였다.

We examine the effect of junction depth on the charge density solving numerically the general form of Poisson's equation for Gaussian $n^{+}$-p junctions. We also present an analytical model for the charge diopole due to the variation of the dielectric constant with doping.