Phenolic Resin의 C.T.I에 관한 연구

A Study on the C.T.I in Phenolic Resin

  • 이보호 (숭실대 공대 전기동학과 교수·공박) ;
  • 박동화 (인천대 전기공학과·부교수)
  • 발행 : 1987.12.01

초록

이 논문은 Phenolic 수지의 Tracking파괴의 CTI에 관한 고찰로써 전극재료의 일부가 누설재료에 의하여 침식되기 때문에 tracking파괴를 증진시키며 다음과 같은 영향을 받는다. $\circled1$절연재료에서는 C. T. I의 값이 350정도에서는 현재까지 규정하고 있는 백금전극보다도 황동전극이 더욱 근사한 값을 얻을 수 있었다. $\circled2$C. T. I의 값은 전해액의 저항율과는 무관하다. $\circled3$시요표면의 접촉각이 증가함에 따라 Corona 개시전압과 C. T. I의 값은 증가한다.

In the thesis research on the C.T.I for the borne by tracking phenolic resin, electolytic errosion appearance of electrode materials causes the part of electrode to increase the failure of tracking. $\circled1$ In the material of insulation in which C.T.I has 350 degree or so, We can obtain the constant value by Cu.Zn electrode than Pt electrode. $\circled2$ C.T.I value has noting to do with resistance rate of electrolyte. $\circled3$ As the contact angle of interface grow, the starting electric stress of corona and the value of C.T.I increase.

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