ETRI Journal

  • 제8권4호
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  • Pages.103-109
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  • 1986
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  • 1225-6463(pISSN)
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  • 2233-7326(eISSN)
한국전자통신연구원 (Electronics and Telecommunications Research Institute)
권호 표지

LDD 방식에 의한 Short 채널 MOSFET의 특성

  • 권상직 (한국전자통신 연구소 반도체 기술지원 센터 기술분석실) ;
  • 권오준 (기술지원센터 기술분석실)
  • 발행 : 1986.12.31
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초록

LDD(Lightly Doped Drain) 방식에 의한 MOSFET의 제조 공정 및 특성에 관하여 실험 분석하였다. MOS 소자의 채널 길이가 짧아짐에 따라 드레인 가장자리에서 자체 형성되는 높은 전계로 말미암아 애벌런치 항복 전압(avalanche breakdown voltage)이 상당히 감소 한다. 이 전압을 높여 주기 위한 기술로서 LDD 방식이 적용되었으며 종래의 제조방식에 의한 MOSFET와 비교 기술되었다.

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