ETRI Journal
- Volume 8 Issue 4
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- Pages.103-109
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- 1986
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
LDD 방식에 의한 Short 채널 MOSFET의 특성
- Published : 1986.12.31
Abstract
LDD(Lightly Doped Drain) 방식에 의한 MOSFET의 제조 공정 및 특성에 관하여 실험 분석하였다. MOS 소자의 채널 길이가 짧아짐에 따라 드레인 가장자리에서 자체 형성되는 높은 전계로 말미암아 애벌런치 항복 전압(avalanche breakdown voltage)이 상당히 감소 한다. 이 전압을 높여 주기 위한 기술로서 LDD 방식이 적용되었으며 종래의 제조방식에 의한 MOSFET와 비교 기술되었다.
Keywords