대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제22권4호
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- Pages.84-91
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
이산화실리콘 층의 예각부식
Acute Angle Etching of silicon Dioxide Layer
초록
열적으로 성장된 이산화실리콘 층 위에 실리카 필름 박막을 도포함으로써, 열산화막의 예각부식 공정이 제안되었다. 실리카필름의 밀화온도를 175
Acute angle etching Process of thermally grown silicon dioxide layer has been Proposed by depositing a thin layer of silicafilm on the thermal oxide layer. As densification temper-ature of silicafilm is varied from 175
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