The Influence on the Voltage Distribution of Multi-Gates of IGFET by the Slow Wave

IGFET채널내의 Slow Wave가 복수 게이트상의 전압분포에 미치는 영향에 관한 연구

A MOSFET with multigates arrayed in periodic structure is studied as a transit time device for microwave amplification. The interactions between the periodic metal gates and the slow wave on the surface of the semiconductor can be observed in the vicinity of synchronism. The stability and the reciprocity of the active quadrupole are shown depending on the frequency and velocity of the carriers.

본 논문에서는 주기적인 구조로 배열된 복수게이트를 갖는 MOSFET가 초고주파 중폭소자로서 연구되었다. 제안된 소자는 다른 초고주파 증폭소자와 마찬가지로 캐리어의 주행시간을 증폭의 근원으로 한다. 게이트상의 전압분포차 반도체 표면상의 지연파사이의 상호착용이 동기 상태 근처에서 계산되었다. 안정도 계수와 가역성계수가 사용주파수와 캐리어 속도의 함수로 보여졌다.