Growth and Etching of Epitaxial Layer and Polysilicon for the Selective Epitaxy

선택적 에피택시를 위한 에피택셜층 및 폴리실리콘의 성장과 에칭

An investigation has been made on the growth phenomena of epitaxial layer and polysilicon from SiH2 Cl2 in H2 and the etch phenomena of them from HCI in H2, at the system pressures of 1.0 atm (atmospheric process) and 0.1 attn (reduced pressure process). From the experimental equations for the growth rates and etch rates. the relevant process conditions for the selective epitaxy are predicted for the case of using mixtures of SiH2Cl2 and HCI in H2. As a result, it is found that selective epitaxial growth region exists in the concentration range investigated for the reduced pressure process but it does not for the atmospheric Process. This is due to the differences in the growth rates and etch rates at atmospheric and reduced pressure.

시스뎀 압력이 1.0 기압[대기압 공정]일 경우와 0.1 기압(감압 공정)일 경우에 대해, SiH2Cl2를 사용했을 때의 에퍼택셜층 및 폴리실리콘의 성장 현상과 HCI을 사용했을 때의 이것들의 에칭 현상을 조사하였다. 실험적으로 구한 성장 속도 및 에칭 속도에 대한 식들로부터 Sih2Cl2와 HCI을 혼합하여 사용할 경우에 대한 선화적 에퍼택시가 가능한 공정 조건이 예측되었다. 그 결과, 선택적 에퍼택셜 성장 영역이 감압 공정에서는 실험 범위내에서 존재하였지만 대기압 공정에서는 존재하지 않는 것으로 나타났다. 이 것은 대기압과 감압에서의 성장 속도 및 에칭 속도가 차이가 나기 때문에 기인하는 것이다.