Carrier ConDuction of Thin Film Transistors

박막 트랜지스터의 반송자 전도

Band headings, at grain boundary and surface of polycrystalline thin semiconductor films, were assumed. thin film ransistor conduction theory which considered trapping at surface of semiconductor was proposed. CdSe Thin Film Transistors were fabricated. CdSe was thermal evaporated and SiO2 used as insulator was rf sputtered. Output characteristics which was calculated by conduction theory were compared with experimental results.

다결정 반도체의 전도모델로써 grain boundary와 표면에서 일어나는 band-bending을 가정하였다. 이 가정에 경계면에서 일어나는 트랩핑을 고려한 새로운 박막 트랜지스터의 전도이론을 제시하였다. S1O2를 절연체로 사용한 CdSe 박막 트랜지스터를 제조하고 그 특성을 측정하였다. 이때 CdSe는열 증착하였으며 SiO2는 고주파 스펏터링 하였다. 이론으로 구한 박막 트랜지스터의 출력곡선과 측정에 의한 실험치를 비교 및 검토하였다.