Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 21 Issue 5
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- Pages.67-78
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- 1984
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- 1016-135X(pISSN)
Study on the Fabrication of EPROM and Their Characteristics
EPROM의 제작 및 그 특성에 관한 연구
Abstract
EAROM device is an n-channel MOS transistor with a control gate stack ed on the floating gate. On account of channel injection type, channel lengths are designed 4-8
프로팅 게이트 위에 컨트롤 게이트를 갖는 n-채널 이중 다결정 실리콘게이트 EAROM을 제작하였다. 채널 길이는 4-8μm, 채널 폭은 5-14μm로 하여 5μm design rule에 따라 설계하였으며 서로 다른 4가지 컨트롤게이트 구조를 갖는 채널 주입형 기억소자를 얻었다. 그리고 소자의 Punch through 전압과 게이트에 의해 조절되는 채널파괴 전압을 증가시키기 위해 이중 이온주입 (double ion implantation)과 active 영역에 보론이온을 주입 하였다. 프로그래밍을 위해 드레인 전압 및 게이트 전압이 각각 13-l7V 및 20-25V 정도 필요하였다. 그리고 제조된 기억소자의 소거는 광학적 방법뿐 아니라 전기적 방법으로도 가능하였으며 125℃에서 200시간 유지하였을 때 축적된 전자가 약 4 %정도 감소함을 알 수 있었다.
Keywords