GaAs FET 마이크로파 증폭기 (분배증폭기에서 대역폭을 증가시키는 방법을 중심으로)

Wide Bandwidth GaAs FET Distributed Amplifier in Microwave Frequencies

마이크로파 분배증폭기에서 게이트선로에서 감쇠정수를 줄여서 대역폭을 넓히기 위하여 FET 칩에 직렬 케페시터를 삽입할 때 대역폭이 증가되는 관계를 유도하고 이때 분배증폭기의 설계방법을 제시한다. 실제 예로서 300μ 게이트 FET로써 4개 소자를 썼을 때 2-12GHz의 대역폭을 직렬 케페시터를 삽입하여서 2-200Hz까지의 균일한 전력이득을 얻었다.

This paper describes the analysis and design of a GaAs FET distributed amplifier connecting a series capacitor to get a super wide bandwidth by reducing the gate line attenuation constant. In this approach a design example with a 300$\mu$ gate length FET devices is presented, and the abtained results are; that without series capacitors the bandwidth is 2-12 GHz, but with capacitors 2-20 GHz in flat gain.