Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)
- Volume 21 Issue 1
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- Pages.51-56
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- 1984
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- 1016-135X(pISSN)
Wide Bandwidth GaAs FET Distributed Amplifier in Microwave Frequencies
GaAs FET 마이크로파 증폭기 (분배증폭기에서 대역폭을 증가시키는 방법을 중심으로)
Abstract
This paper describes the analysis and design of a GaAs FET distributed amplifier connecting a series capacitor to get a super wide bandwidth by reducing the gate line attenuation constant. In this approach a design example with a 300
마이크로파 분배증폭기에서 게이트선로에서 감쇠정수를 줄여서 대역폭을 넓히기 위하여 FET 칩에 직렬 케페시터를 삽입할 때 대역폭이 증가되는 관계를 유도하고 이때 분배증폭기의 설계방법을 제시한다. 실제 예로서 300μ 게이트 FET로써 4개 소자를 썼을 때 2-12GHz의 대역폭을 직렬 케페시터를 삽입하여서 2-200Hz까지의 균일한 전력이득을 얻었다.
Keywords