$V_2O_5-P_2O_5$계 유리반도체의 전기적 특성

Electric Characteristics of $V_2O_5-P_2O_5$ Glass Semiconductor

本論文은 $V_3O_5-P_2O_5$系 유리 半導 를 硏究對象으로 하였다. 이것은 비교적 낮은 溫度에서 만들 수 있고 空氣中에서 취급할 수 있기 때문에 利點이 많다. 素子는 $V_3O_5,\;P_2O_5$粉末을 70:30mol%造成比로서 混合하여 電氣爐속에서 $800[^\circ{C]-1000[}^\circ{C]}$로 30分~3時間 加熱하여 만들었다. 이와 같이 많든 素子는 ~$10^5\;\Omega$ 정도의 抵抗값을 가졌으며 溫度에 다라 負特性, 스위칭(switching)特性을 갖는 것을 確認하였고 傳奇的特性을 調査하여 等價回路를 提示하였다.

This paper is dealing a $V_3O_5-P_2O_5$ metal oxide glass semiconductor. This semiconductor is easy to fabricate in the atmospheric condition at relatively low temperature. The element is made like a bead, and platinum segments are used as electrodes. Other kind of metal withstanding high temperature near 1000C can also be used as electrode. Experiment verifies that the fabricated element has the resistance in the order of about ~$10^5\;\Omega$, and shows negative resistance characteristics and switching characteristics with respect to temperature. An equivalent circuit of the element is proposed based on its electrical characteristcs.