Experimental Study on Dependency of MOSFET Low-Frequency Noises on Gate Dimensions

MOSFET에서 저주파잡음의 산화막 두께 의존성 관한 실험적 연구

The purpose of this experiment is to evaluate the noise dependency on the gate dimensions of the P-ch MOSFET which is fabricated of p+ sourse, drain, and gate electrode doped with PH$_3$ gas in type-N Si sudstrate. Experimental results indicate that: for the constant gate area and reletively thick films, noise level tends to decrease for the W/L ratio over unity, which generally conforms with theoretical observations, but its variation with the change in the thickness of film is less than the theoretically predicted for the W/L ratio below unity.

본실험에서는 N형 Si기판 내부에 P+소오스, 드레인 영역동 마련하고 게이트전극으로서는 PH₃ 를 첨가한 구조로서 Poly-Si gate MOSFET를 제작하여 이에 대한 잡음 특성에 관해 고찰하였다. 실험결과 게이트 면적이 일정하고 막두께가 비교적 두꺼울때는 W/L비 1이상에서는 잡음이 정감되는 경향으로 대체로 이론에 일치하지만 1이하에서는 막두께에 따른 변화는 완만하다는 것이 실증되었다.