대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제18권4호
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- Pages.43-48
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- 1981
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- 1016-135X(pISSN)
CdSe TFT의 제조 및 전기적 특성
Fabrication and Characteristics of CdSe TFT
초록
CdSe 반수체와 SiO유전체를 사용하여 진공증착방법으로 박막트랜지스터를 제조하고 반도체의 두께 및 드레인-소오스간의 채널길이 변화가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 경향을 조사하였다. 반도체의 두께를 1500Å으로 하고 채널길이를 40μm으로 제조한 TFT가 가장 좋은 특성을 나타내었다. 이 특성을 MOSFET의 관계식에 적용하여 이로부터 Cd Se반도체의 캐리어 이동도는 115㎠/V·sec였고 활성화 에너지는 0.13ev였다.
The Cdse TFTs with SiO gate insulator layer have been fabricated with vacum evaporatim technique. The effects of semiconductor thickness and drain-source channel length on the electrical propertis have been investigated. The TFTs with 1000
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