Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Electrical Properties of Barium-Titanates with addition $Sb_2O_3$

$Sb_2O_3$첨가량에 의한 Barium-Titanates의 전기적 성질

  • Published : 1977.04.01
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Abstract

"Electrical Properties of Barium Titanates with Addition Sb2O3." PTC BaTiO3 in low resistance at room temperature was prepatred. Al2O3, SiO2 and TiO2 were doped with a view to improving reproduction. Sb2O3 was doped as impurity in order to control of resistivity of the specimens. The relations between the amount of Sb3O3 and electrical properties wereinvestigated. Of the compositions studied, additions of 3.75mole% Al2O3, 1.25mole% SiO2, 2.25mole% TiO2 and 0.16~0.25wt% Sb2O3 to BaTiC3 was low resistivity in 14-300 ohm-cm.00 ohm-cm.

공기중의 열처리에 의하여 상온에서 낮은 저항을 갖는 PTC 써미스터를 제작했다. 재현성을 높이기 위해 BaTiO3에 Al2O3, SiO2 및 TiO2를 첨가 했으며, 불순물로서 Sb2O3를 첨가했다. 시편은 공기 중에서 1,200℃∼1,380℃로서 가열되었으며, Sb2O3첨가량에 대한 저항관계를 조사했다. 이 시편들은 공기중의 열처리에서도 재현성이 좋았다. 연구된 시편은 3.75mole% Al2O3, 1.25mole% SiO2, 2.25mole% TiO2 및 0.16∼0.25wt% Sb2O3를 BaTiO3에 첨가하여 만들었으며 저항값은 14∼300ohm이었다.

Keywords