Ion-Implanted Drift Field Silicon Solar Cell

시리콘 태양전지의 한쪽 면내에서 광에 의해서 발생된 전하운반체의 수집을 하는데 있어서 부가적인 도움을 줄 수 있는 정전적인 부등전계 효과에 고나한 연구가 수행되었다. 주석(tin) 주입에서 오는 격자변형의 보상효과로 말미암아 P형 측내에 보론농도의 구배를 가져오므로서 부동전계를 발생시킬 수 있었다. 태양전지내에 p-n 접합을 gtud성시키기 위하여 주로 방사증식확산의 원리에 근거를 둔 새로운 이온주입법이 채택되었다. 이온주입으로 된 태양전지의 회로개방전압과 변환효율을 각각 0.44V 및 5%였다.

An investigation on the effect of electrostatic drift field which can bring an additional aid to the photogenerated carrier collection in one side of the silicon solar cell has been carried out. The drift field was produced by the gradient of boron concentration in the p-type side in virtue of the strain compensation due to the tin dopant. A new method of ion implantation which is based on the principle of chiefly radiation-enhanced diffusion is adopted for forming the p-n junction in the solar cell. The open circuit voltage and the conversion efficiency of the ion-implanted silicon solar cell sample can be figured out to be 0.44 V and 5%, respectively.