정자계를 가한 반도체를 갖는 도파관내의 전자파이동에 관한 연구

A Study of Perturbed Electromagnetic Waves in Rectangular Waveguide Filled with atransversely magnetized Semiconductor

전자력학적 근사해법인 섭운이론을 횡정식계를 가한 N형 Silicon 반도체로 충만된 거형도파관내의 마이크로로파의 정변특성에 적용해서 전력의 식을 구했다. 이는 전자파의 Maxwell 방정식을 연산자에 의한 고유치문제로 다루어 개발했다. 특히 2개의 Magic-Tee를 사용해서 x만에 의해서 변화하는 전자성분을 검출한 9.61GHz의 TE 파에 의한 실험결과는 제1차사치와 아주 잘 일치했다.

Perturbation thorpe for quantum mechanics is extended to the derivation of a power equation for microwave propagation in a rectangular waveguiad filled with N-type silicon which is transversely magnetized. This approximation evolves in a unified manner from the eigenvalue formulation of maxwell's equation wherein the wave numbers are tthe eigenvalues of a linear operator. TE10 wave at 9.61GHz is employed for the experimental investigation of the microwave propagation through a transversely magnetized semiconductor. Results from first order perturbation agree well with the experiment where the bridge method using two Magic Tees is employed.