이온 충돌에 의한 저온 확산

Low Temperature diffusion by Ion Collisions

이온의 충돌에 위한 주입자의 저온광산식 주입방법과 아울러 그 장치의 구조를 초개하였다. 본주입작용은 희석된 건기의 푸라주마분국기내에서의 저에너지 입자의 충돌과 기판의 예용가열에 의한 방사증식철산의 원리에 봉로 기인되고 있다. 본법입방식에 의해서 각종주입자를 영도체들속에 법입시켜 본 결과도 또한 나타나 있다.

A method of dopant implantation by low temperatme diffusion with ion collisions as well as the mechanism of its apparatus is to be introduced. The implantillg function is mainly based on the Principle of radiation enhanced diffusion due to the collisions of low energy Particles and the preheating of the substrate in an environment of rarefied air plasma. The implanted results of various dopants into semicondctors by the Implanter are also presented.