반도체의 불순물중심의 전자적 특성

Electronic Characteristics of the Impurity Centers in Semiconductors

Ge 점접촉형 diode에 있어서 역방향 전압이 인가되었을 때의 burst noise를 조사하여 carrier포획중심의 전자적 상태를 온도 및 역방향 전압의 함수로서 구하였다. 여기서는 이러한 중심의 전자적 상태를 나타내는 시정수의 측정영역을 십수분까지 확대하였으며 이는 이때까지 다른 연구자들에 의한 범위보다 약 10,000배나 넓은 것이다. 이 시정수와 온도와의 관계에서 포획중심의 quasi-Fermi 준위 및 이의 activation energy를 구하였다.

The electronic states of carrier capture centers in reverse biased point-contact germanium diodes have been investigated through the tomperature-and reverse voltage-characteristics of burst noise. The measured values of the time constants wllich represent the electronic states of the centers are extended up to greater than ten minutes, which are about 10,000 times greater than the ones obtained by other investigators. From the relation between these time constants and temperatures, the quasi-Peymi level and the activation energy of the center have been obtained.