Fabrication of Silicon Voltage Variable Capacitance Diode-(I)

VVC 다이오드의 시작연구 (I)

  • 정만영 (한국과학기술연구소 전자장치연구실) ;
  • 박계영 (한국과학기술연구소 전자장치연구실)
  • Published : 1968.11.01

Abstract

This report is concerned with the optimum design of hyper-aprupt p-n junctiea silion diode and fabriction of this diode usable for electrical tuning application. Impurity profile in the junction was assumed to clean exponential function. With this assunntion, an optimum criterion for designing standard AM radio tuning capacitor was derived. In the diffusion process, after aluminum and antimony as impurties were deposited in vacuum on a P-type silicon wafer, the diffusion was followed by loading the wafer into the high temperature furnace.

초단계형(Hyperabrupt) p-n접합에서 접합용량의 인가전압에 의한 변화률이 단순물분포에 따라 변화하는 성질을 이용하여 가변용량다이오드의 최적설계방법 유도하고 표준방송수신용 라디오의 동조용 가변용량실리콘 다이오드를 설계하였고 이다이오드의 제작방법에 관하여 연구하였다. 이때 도너 및 액셉터 불순물로서는 안치모니 및 알루미늅을 진공증착한 후 고온확산로에 넣어 처리하므로서 원하는 분포를 얻으려 하였다.

Keywords