Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Processes for Fabricating Planar npn Trnsistors

프래너 다이오드와 트랜지스터의 시작"제II보"

  • Published : 1966.12.01
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Abstract

A silicon planar npn transistor has been fabricated. These transistors show three different characteristics, which are obtained with the variation of drive in time after the boron base diffusion. They are as follows:

실리콘 프래너 npn 트랜지스터를 시작하였다. 이 시작트랜지스터들은 베이스에 보론 확산을 한다음 drive in 시간을 변화시켜서 3종류의 Sample을 얻었다. 이들 특성은 아래와 같다.

Keywords