Development of 3.5kW Single Phase PV Inverter using SiC MOSFET

SiC MOSFET를 적용한 3.5kW급 단상 PV 인버터 개발

  • 김재원 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
  • 김명기 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
  • 주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
  • 최준혁 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
  • 김진홍 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
  • Published : 2020.08.18

Abstract

본 논문에서는 SiC (Silicone Carbide) MOSFET 기반 Buck-Unfolder 토폴로지를 적용한 단상 태양광 인버터를 개발한다. 개발한 인버터의 성능 평가를 위해 3.5kW 급 prototype의 효율 및 전고조파 왜율(THD)을 분석한다.

Keywords