Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2020.08a
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- Pages.294-295
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- 2020
Switching Characteristic Analysis of 3kW Single-Phase Inverter based on GaN HEMT
GaN HEMT를 적용한 3kW급 단상 인버터의 스위치 특성 분석
- Han, Seok-Gyu (Korea Electronics Technology Institute) ;
- Choi, Su-Ho (Korea Electronics Technology Institute) ;
- Joo, Dong-Myoung (Korea Electronics Technology Institute) ;
-
Park, Jun-Sung
(Korea Electronics Technology Institute)
;
-
Choi, Jun-Hyuk
(Korea Electronics Technology Institute)
- 한석규 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 최수호 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
-
박준성
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
;
-
최준혁
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
- Published : 2020.08.18
Abstract
차세대 전력반도체 중 하나인 GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)는 낮은 온 저항, 고속 스위칭 및 낮은 출력 커패시턴스 특성을 가지므로 더 높은 전력밀도를 달성할 수 있다. 그러나 낮은 문턱 전압 및 높은 dv/dt로 인해 외부 요인에 취약하다. 본 논문에서는 GaN HEMT를 3kW급 단상 인버터에 적용 시 발생한 문제점을 분석하고 해결방안을 제시한다.
Keywords