도핑 농도의 변화에 따른 MOSFET Total current 특성변화

Source와 Drain 부분에 도핑의 농도를 변화시킴으로써 MOSFET의 내부의 Total current의 변화의 경향성을 분석하였다. 이를 위해 Simple한 MOSFET 구조를 설계를 한 뒤 gate 부분에 전압을 주어 측정을 하였으며, 그 결과 Source, Drain의 도핑농도가 증가 될 수록 Total current의 변화하는 정도가 커짐을 알 수 있다.