InSe 단일층의 vacancy 결함 특성 연구

  • 이서윤 (나노물리학과, 숙명여자대학교)
  • Published : 2017.03.24

Abstract

2차원 InSe 단일층에 존재할 수 있는 vacancy defect인 In vacancy, Se vacancy의 원자구조 및 전자구조 특성을 제일원리계산을 이용해 살펴보았다. InSe $5{\times}5$ supercell을 이용하였으며 total energy를 구해 어떤 구조가 가장 안정한지 찾았다. Relax된 결함구조들을 clean InSe와 비교하여 어떤 변화가 있었는지 특징을 분석하였다. 이러한 intrinsic 결함들이 각각 어떤 구조로 relaxation되는지 살펴보고 clean InSe와 비교해보았다. 또한 각 결함구조의 density of states (DOS), projected density of states (PDOS)와 band structure를 clean InSe와 비교해봄으로써 defect state가 어떻게 나타나는지를 찾아보았다.

Keywords