Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2015.07a
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- Pages.459-460
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- 2015
Analysis of Switch Driving Gate Signal by Parasitic Component
스위치 구동 시 기생성분에 따른 게이트 신호 분석
- Chae, Hun-Gyu (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kim, Dong-Hee (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kim, Min-Jung (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Park, Sang-Min (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Lee, Byoung-Kuk (College of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
- 채훈규 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 김동희 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 김민중 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 박상민 (성균관대학교 정보통신대학) ;
- 이병국 (성균관대학교 정보통신대학)
- Published : 2015.07.07
Abstract
본 논문에서는 2개의 MOSFET으로 구성된 Half-bridge 회로를 구동할 때, 각 MOSFET의 기생성분을 고려하여 게이트 신호를 분석한다. 특히 MOSFET 구동시 게이트 전압에 따른 구간별 등가회로를 구성, 각 구간에서 다른 MOSFET에 상호적으로 미치는 영향을 수식적으로 분석하고, 시뮬레이션을 통해 스위칭 특성을 검증한다.
Keywords