대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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- Pages.1143-1144
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- 2015
반절연 기판을 이용한 저손실 4H-SiC LDIMOSFET의 동작 특성 연구
Study on the characteristics of low loss 4H-SiC LDIMOSFET implemented on semi-insulating substrate
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Kim, Hyoung-Woo
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Kim, Ki-Hyun
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
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Lee, Kyoung-Ho
(Korea Electrotechnology Research Institute) ;
- Kim, Min-Sung (Changwon National University) ;
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Seo, Kil-Soo
(Korea Electrotechnology Research Institute)
- 발행 : 2015.07.15
초록
반절연 4H-SiC 기판을 이용한 LDIMOSFET에 대해 전류 통전 영역의 길이에 따른 항복전압 및 순방향 특성을 분석하였다. 또한, 온도 변화에 따른 역방향 상태 및 벌크 트랩 유무에 따른 누설전류 특성을 분석하였다. 전류 통전 영역의 두께를
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