h-BN Graphene 합성에 의한 태양열전지

  • 최홍영 (서울대학교 물리천문학부) ;
  • 우준혁 (서울대학교 물리천문학부)
  • Published : 2015.03.19

Abstract

Graphene의 bandgap이 0eV이고 hBN의 bandgap이 4~5eV라는 이기 때문에 두 물질을 혼합하였을 때 태양전지로 쓰기 좋은 1.2eV의 bandgap을 가지는 물질을 만들 수 있을 거라 생각된다. 이 점을 착안하여 hBN에 Carbon을 도핑시켜 1.2eV의 bandgap을 갖는 물질을 이론적으로 만들어 보았다.

Keywords