Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

Ion Implant 시뮬레이션을 통한 MOSFET 최적점에 대한 연구

  • 이동빈 (전자컴퓨터공학부, 전남대학교)
  • Published : 2015.03.19
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Abstract

본 연구에서는 MOSFET 제작방법중 하나인 이온주입법에서 다양한 변수로 작용하는 도핑농도, 에너지주입, 바탕농도의 역할에 대해서 알아보고 채널길이가 감소함에 따른 단채널효과를 억제할 수 있는 최적점에 대하여 분석하였으며 Ion Implant 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 농도와 에너지주입 그리고 채널길이에 따른 MOSFET의 최적화된 모델을 분석하였다.

Keywords